本發(fā)明公開了一種硅電極的再生加工方法,包括以下步驟:S1:外觀檢驗(yàn);S2:尺寸測(cè)量;S3:雙面LAPPING,在弱堿性環(huán)境下用雙面研磨機(jī)對(duì)硅電極表面損傷進(jìn)行去除再生;S4:煮沸清洗,將硅電極放入加熱槽中煮沸,導(dǎo)入化學(xué)洗凈劑,進(jìn)行洗滌,然后在純水槽中浸泡沖洗,并通入超聲波去除硅電極表面雜質(zhì);S5:化學(xué)刻蝕,在酸液中對(duì)硅電極整體刻蝕,去除表面損傷缺陷;S6:拋光處理,在堿性拋光液條件下用拋光機(jī)對(duì)硅電極非裝配表面進(jìn)行拋光;S7:洗凈處理,用酸液對(duì)硅電極進(jìn)行清洗;S8:最終檢測(cè);S9:烘干包裝。采用了雙面研磨技術(shù),能夠有效去除硅表面的使用痕跡和損傷缺陷,并對(duì)表面離子沾污進(jìn)行清洗,達(dá)到表面再生,可持續(xù)使用的目的。
聲明:
“硅電極的再生加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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