本發(fā)明涉及一種用以對稱地沉積金屬層于金屬層定位鍵上的方法,其包括使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝(MOCVD)以形成此金屬層。對稱金屬層形成之后,金屬層定位鍵可被準(zhǔn)確地檢測,且可改善此金屬層定位鍵覆蓋結(jié)構(gòu)的位移現(xiàn)象。
聲明:
“半導(dǎo)體器件制造中用以對稱沉積金屬層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)