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硅基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底及其制法和應(yīng)用

988   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:36:49
本發(fā)明涉及具有良好生物兼容性的硅基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底和制備方法,以及用這種基底進(jìn)行溶液中羅丹明6G分子和4-氨基硫酚分子的檢測(cè)。本發(fā)明用化學(xué)刻蝕的方法,在單晶硅基片表面刻蝕出垂直定向站立排列的硅納米線陣列;然后除去在刻蝕過(guò)程中作為副產(chǎn)物生成在硅納米線陣列頂端的絮狀銀枝杈,并在硅納米線表面修飾上大量的Si-H鍵。所述的硅基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底是由分布在單晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅納米線陣列構(gòu)成,且所述的基底中不含有貴金屬銀;所述的硅納米線表面修飾有Si-H鍵。首次成功地實(shí)現(xiàn)了不使用任何貴金屬而僅用半導(dǎo)體硅材料制備出了具有良好生物兼容性的硅基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底。
聲明:
“硅基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底及其制法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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