在一些實施例中,提供了一種半導體器件。該半導體器件包括設置在半導體襯底中的外延結構,其中,該外延結構具有IV族化學元素,其中,外延結構從半導體襯底的第一側延伸到半導體襯底中。光電檢測器至少部分地布置在外延結構中。具有與第一IV族化學元素不同的第一覆蓋結構化學元素的第一覆蓋結構覆蓋位于半導體襯底的第一側上的外延結構。第二覆蓋結構布置在第一覆蓋結構和外延結構之間,其中,第二覆蓋結構包括IV族化學元素和第一覆蓋結構化學元素。本發(fā)明的實施例還提供了半導體器件的形成方法。
聲明:
“覆蓋結構、半導體器件及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)