本發(fā)明公開了一種聚吡咯包覆Co3O4納米線的三維陣列電極及其制備方法和應(yīng)用，該聚吡咯包覆Co3O4納米線的三維陣列電極以泡沫銅為基底，在基底上負(fù)載聚吡咯包覆Co3O4納米線的三維陣列，Co3O4納米線的長度為1～1.8μm，直徑為100～130nm，聚吡咯包覆層的厚度為10～15nm，Co3O4納米線具有多晶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明降低了實(shí)驗(yàn)成本，操作方法簡(jiǎn)便，得到的改性電極有優(yōu)異的電化學(xué)性能，并且利用三維陣列結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)改善了Co3O4的導(dǎo)電性能，增加了電極材料的比表面積和活性位點(diǎn)，提高了Co3O4對(duì)于Pb2+的檢測(cè)能力；引入含氮的聚吡咯進(jìn)一步改善電極材料的導(dǎo)電性，含氮基團(tuán)能夠有效和Pb2+絡(luò)合，有利于檢測(cè)時(shí)Pb2+富集，進(jìn)一步提升了傳感器對(duì)Pb2+檢測(cè)靈敏度的提高和檢測(cè)限的降低，在鉛離子監(jiān)測(cè)等方面有廣闊的應(yīng)用前景。