本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件失效定位方法,包括:開啟半導(dǎo)體器件封裝,露出器件
芯片;在所述器件芯片表面涂覆液晶并加電,根據(jù)液晶顏色變化情況,確定失效點位置;對所述器件芯片進(jìn)行逐層剝層直至所述失效點完全暴露;本發(fā)明驗操作簡單方便,將液晶技術(shù)引入到半導(dǎo)體器件失效分析中,彌補了微光顯微鏡設(shè)備昂貴的問題,同時,提出了半導(dǎo)體芯片干法刻蝕和濕法刻蝕中的相關(guān)參數(shù)及化學(xué)配比,能高效應(yīng)用于常規(guī)Si半導(dǎo)體器件的剝層;將兩者有效的結(jié)合起來,能夠滿足半導(dǎo)體器件深層失效分析定位及失效分析的需求。
聲明:
“半導(dǎo)體器件失效定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)