本發(fā)明公開了一種柵極的制造方法,包括步驟:步驟一、在半導體襯底表面形成柵介質(zhì)層和
多晶硅柵;步驟二、在多晶硅柵表面中注入終點檢測雜質(zhì);步驟三、進行光刻刻蝕形成柵極;步驟四、在各柵極側(cè)面形成側(cè)墻;步驟五、形成由氮化層組成的接觸孔刻蝕停止層;步驟六、形成由氧化層組成的層間膜;步驟七、采用化學機械研磨工藝進行第一次平坦化并停止在氮化層材料上;步驟八、采用第一次等離子體刻蝕工藝進行第二次平坦化,第一次等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點采用檢測終點檢測雜質(zhì)實現(xiàn)的終點檢測方式確定;步驟九、采用第二次等離子體刻蝕工藝對多晶硅柵進行去除并采用定時方式確定刻蝕終點。本發(fā)明能提高多晶硅柵去除的可靠性并進而提高器件的可靠性。
聲明:
“柵極的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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