本發(fā)明提出的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法,該工藝步驟如下:1)進(jìn)行有源區(qū)氧化物沉積,氮化硅(SIN)沉積,形成襯底;2)進(jìn)行淺溝槽隔離(STI)刻蝕;3)進(jìn)行淺溝槽隔離(STI)內(nèi)襯氧化物層沉積;4)進(jìn)行含氮的等離子體處理;5)進(jìn)行淺溝槽隔離(STI)高密度等離子體沉積;6)進(jìn)行透射電鏡(TEM)空洞檢測(cè);7)如檢測(cè)結(jié)果不符合要求,則對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整,再次實(shí)施步驟(5)淺溝槽隔離(STI)高密度等離子體沉積;如檢測(cè)結(jié)果符合要求,則確認(rèn)工藝參數(shù),確定工藝流程。本發(fā)明的工藝方法可縮短高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDPCVD)填充淺溝槽隔離(STI)的工藝調(diào)整周期,非常適于實(shí)用。
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