本發(fā)明涉及碳納米管制備與結(jié)構(gòu)控制領(lǐng)域，具體為一種高效篩選高質(zhì)量碳納米管生長(zhǎng)條件的高通量方法。將離子束沉積方法與四元模板法相結(jié)合，在同一標(biāo)記硅片基底上制備出不同厚度或成分組合的催化劑薄膜，并采用化學(xué)氣相沉積法催化生長(zhǎng)獲得碳納米管水平網(wǎng)絡(luò)。此后對(duì)樣品進(jìn)行拉曼光譜面掃分析，將獲得的碳納米管G、D模強(qiáng)度比值作為判斷碳納米管質(zhì)量的依據(jù)，并利用標(biāo)記硅片定位關(guān)聯(lián)催化劑薄膜厚度或成分等與碳納米管質(zhì)量的關(guān)系。進(jìn)一步建立Excel模板對(duì)多組G、D模強(qiáng)度比進(jìn)行自動(dòng)分析，篩選出生長(zhǎng)高質(zhì)量碳納米管的最佳催化劑薄膜厚度和最佳生長(zhǎng)條件。從而，適于高效篩選出催化劑厚度或成分、溫度、氣氛等反應(yīng)參數(shù)，生長(zhǎng)高質(zhì)量碳納米管。