本發(fā)明涉及技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種原子層沉積MgZnO薄膜及其研究方法和應(yīng)用,由如下組分進行反應(yīng)制得:H2O、二乙基鋅Zn(CH2CH3)2(DEZn)、一路鎂源、二茂鎂Mg(C5H5)2(CP2Mg);對Hr?ZnO襯底進行生長前表面的氧輔助的離子體預(yù)處理;二乙基鋅DEZn被通入生長腔室,并在Hr?ZnO襯底表面發(fā)生自限表面化學(xué)吸附并形成Zn(CH2CH3)*表面態(tài);隨后與通入的氧源前驅(qū)體H2O進行反應(yīng),產(chǎn)生ZnOH*;將反應(yīng)副產(chǎn)物CH3CH3和余量的前驅(qū)體源清除,將鎂前軀體CP2Mg與產(chǎn)生的表面態(tài)ZnOH*反應(yīng)得到新的表面態(tài)Mg(C5H5)*;將表面態(tài)Mg(C5H5)*與通入的前驅(qū)體H2O反應(yīng)獲得MgOH*,將MgZnO薄膜表面噴Pt(3nm)處理之后通過EDS能譜分析來進行薄膜的成分的定性及定量分析,可得薄膜的組分。
聲明:
“原子層沉積MgZnO薄膜及其研究方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)