本發(fā)明公開了一種摻雜金剛石顆粒及其制備方法與應(yīng)用。所述摻雜金剛石顆粒包括載體顆粒、包覆層,所述載體顆粒為含硼金剛石顆?;蚣兘饎偸w粒,所述包覆層為摻雜金剛石薄膜。本發(fā)明首創(chuàng)的以高溫高壓合成的單晶結(jié)構(gòu)的含硼金剛石顆粒作為載體顆粒,在其表面生長多晶的摻雜金剛石薄膜,最終所得摻雜金剛石顆粒具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能,本發(fā)明的制備方法簡單可控,所用載體顆粒為己商業(yè)化的高溫高壓合成的單晶結(jié)構(gòu)的金剛石顆粒作為載體顆粒,價格低廉,成本低。本發(fā)明的摻雜金剛石顆粒具有高的比表面積且對環(huán)境無毒理性、信噪比高的特點。本摻雜金剛石顆??蓮V泛應(yīng)用于
電化學(xué)分析領(lǐng)域、電化學(xué)水處理領(lǐng)域。
聲明:
“摻雜金剛石顆粒及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)