本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列結(jié)構(gòu)硅基點(diǎn)陣的制備方法及其應(yīng)用,所述制備方法包括:在一硅片表面旋涂光刻膠;采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的點(diǎn)樣區(qū);采用溶液法在含點(diǎn)樣區(qū)的所述硅片表面自組裝微納米球;對(duì)沉積了微納米球的所述硅片進(jìn)行刻蝕,使所述點(diǎn)樣區(qū)形成微納米結(jié)構(gòu)陣列;去除所述硅片表面的所述光刻膠;且去除所述硅片表面的所述微納米球。本發(fā)明陣列結(jié)構(gòu)硅基點(diǎn)陣的制備方法所制得的硅基點(diǎn)陣在質(zhì)譜檢測(cè)、拉曼檢測(cè)、生物傳感器或者光電探測(cè)器中的應(yīng)用。本發(fā)明的硅基點(diǎn)陣在物理、化學(xué)、能源、催化、生命科學(xué)及信息等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。
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“陣列結(jié)構(gòu)硅基點(diǎn)陣的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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