本發(fā)明提供了一種硫離子注入納米金剛石?
石墨烯復(fù)合薄膜,本發(fā)明利用熱絲化學(xué)氣相沉積在單晶硅襯底上制備納米金剛石?石墨烯復(fù)合薄膜,對(duì)制備出的復(fù)合薄膜進(jìn)行硫離子注入,并對(duì)注入后的復(fù)合薄膜進(jìn)行真空退火處理,即得到SNCD?G復(fù)合薄膜,該復(fù)合薄膜具有優(yōu)異的
電化學(xué)活性、極低的背景電流和較寬的電勢(shì)窗口,十分有利于應(yīng)用在高精度的痕量檢測(cè)領(lǐng)域。
聲明:
“硫離子注入納米金剛石-石墨烯復(fù)合薄膜電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)