本發(fā)明屬于一維納米結構半導體氧化物氣敏傳感器制備技術領域,涉及一種利用化學氣相沉積方法制備可以在室溫條件下進行檢測一氧化碳的梳狀納米結構氧化鋅氣敏傳感器的方法,先按照需要選擇晶體的生長條件,利用改進的化學氣相沉積法制備出梳狀納米結構氧化鋅;再將梳狀納米結構氧化鋅分散到金單元格陣列上,將存在氧化鋅的兩相鄰單元格用微電極連接,采用常規(guī)半導體封裝工藝封裝在外殼內,制備出氧化鋅氣敏傳感器;傳感器在常溫下工作,其結構簡單,功耗??;制備工藝簡單,成本低,生長的氧化鋅晶體純度高、完整性好;氣體接觸反應的表面積大;接觸電阻小,梳干處的氧化鋅起收集、傳導電流的作用,傳感靈敏度高。
聲明:
“梳狀納米結構氧化鋅氣敏傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)