本發(fā)明公開了一種硫化鎵量子點(diǎn)材料及其制備方法。材料為硫化鎵量子點(diǎn),化學(xué)分子式為Ga
xS
3,其中的1≤x≤5,化學(xué)分子式為Ga
xS
3的硫化鎵量子點(diǎn)的直徑為1?8nm;方法為先按照鎵源、硫源、十八烯和配體的摩爾比為1:0.5?10:20?80:20?100的比例,將四者混合,得到混合液,再將混合液置于惰性氣氛中,于220?300℃下反應(yīng)2?20min,得到反應(yīng)液,之后,先按照反應(yīng)液中的鎵源、溶劑和沉淀劑的摩爾比為1:50?300:100?1400的比例,向惰性氣氛下冷卻的反應(yīng)液中依次加入溶劑和沉淀劑,得到懸浮液,再對懸浮液進(jìn)行固液分離處理,制得硫化鎵量子點(diǎn)材料。它在紫外光激發(fā)下的發(fā)光峰在420?505nm范圍可調(diào),極易于廣泛地商業(yè)化應(yīng)用于發(fā)光器件和離子檢測等領(lǐng)域。
聲明:
“硫化鎵量子點(diǎn)材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)