本發(fā)明提供一種新型MRAM中銅互聯(lián)上底電極的制備方法,包括:提供一基底,所述基底包括依次堆疊設置的金屬互聯(lián)層、第一阻擋層以及介電層,在所述第一阻擋層及介電層中形成有底部通孔,所述底部通孔與所述金屬互聯(lián)層相連;在所述基底表面依次沉積第二阻擋層和銅層,所述銅層充滿所述底部通孔;以所述第二阻擋層作為拋光終點,對所述銅層進行化學機械拋光,并在檢測到所述第二阻擋層后進行過拋光,以完全去除所述第二阻擋層之上的銅層;在拋光后的界面上沉積底電極金屬層;圖案化所述底電極金屬層,得到MRAM底電極。本發(fā)明能夠簡化并徹底顛覆現(xiàn)有大馬士革銅的化學機械拋光工藝,提高生產(chǎn)效率并降低工藝穩(wěn)定性風險。
聲明:
“新型MRAM中銅互聯(lián)上底電極的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)