本發(fā)明提供一種半導體柵極版圖及其修正方法、半導體結(jié)構(gòu)形成方法,所述半導體柵極版圖修正方法,包括:提供包括若干柵極圖形的半導體柵極版圖,所述半導體柵極版圖包括第一區(qū)塊和第二區(qū)塊,所述第一區(qū)塊對應于晶體管形成區(qū),所述第二區(qū)塊對應于二極管形成區(qū);對第一區(qū)塊進行檢測,若在預定面積的區(qū)域內(nèi)柵極圖形總面積小于標準面積,則在所述預定面積的區(qū)域內(nèi)、對應第一淺溝槽隔離區(qū)的位置添加第一偽柵極圖形;對第二區(qū)塊進行檢測,若在預定面積的區(qū)域內(nèi)柵極圖形總面積小于標準面積,則在所述預定面積的區(qū)域內(nèi)、對應極區(qū)的位置添加第二偽柵極圖形。能夠改善化學機械拋光的工藝可靠性和均勻度,保持二極管集成度,降低
芯片成本。
聲明:
“半導體柵極版圖及其修正方法、半導體結(jié)構(gòu)形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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