本發(fā)明提供了一種
太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝,屬于太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有的太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中硅片表面擴(kuò)散不均勻等技術(shù)問題。本低壓擴(kuò)散工藝包括以下步驟:a、抽真空:將硅片放置到擴(kuò)散爐的反應(yīng)腔室,使用
真空泵將擴(kuò)散爐的反應(yīng)腔室抽成50?mbar~150mbar的真空狀態(tài);b、充氣體:將少量氮?dú)馀c三氯氧磷沖入擴(kuò)散爐的反應(yīng)腔室內(nèi);c、低壓擴(kuò)散:保持反應(yīng)腔室內(nèi)壓力不變,低壓擴(kuò)散時(shí)間為700S~900S;d、檢測:檢測低壓擴(kuò)散結(jié)果,使硅片表面方塊電阻80Ω~120Ω/口、均勻性要求±3%以內(nèi)。本發(fā)明中的工藝具有擴(kuò)散均勻性好、化學(xué)品和特氣損耗大幅減少、維護(hù)周期長等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)