本發(fā)明屬于痕量有機物檢測技術領域,涉及一種氮化物表面增強拉曼基片及其制備方法。本發(fā)明采用傾斜生長法在單晶硅等基底上生長制備氮化物納米棒陣列,再采用氮氣氣氛退火方法提升氮化物基片性能。上述方法制備的氮化物基片具有良好的表面增強拉曼效應,同時繼承了氮化物陶瓷的化學穩(wěn)定性,具備超長時間的存放穩(wěn)定性。由于制備工藝簡單,原材料廉價易得,易于商品化和工業(yè)化,該基片在有機物的痕量、快速檢測方面具有廣闊的應用前景。
聲明:
“氮化物表面增強拉曼基片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)