一種基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器
芯片,包括硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu),硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)的背面與硼玻璃鍵合,硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)包括質(zhì)量塊以及與質(zhì)量塊相連的懸臂梁,在硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)上采用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積方法鍍有四個非晶碳膜電阻,其中第一非晶態(tài)碳膜電阻位于硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)的懸臂梁上,并靠近邊框一端;第二、第三、第四非晶態(tài)碳膜電阻位于硅質(zhì)敏感結(jié)構(gòu)的邊框處,四個非晶碳膜電阻連接成惠斯通半橋檢測電路,并通過金屬導(dǎo)線和焊盤連接,由于本發(fā)明采用的非晶態(tài)碳膜電阻具有低摩擦系數(shù)、耐腐蝕,耐磨等優(yōu)良特性,徹底解決傳統(tǒng)MEMS硅微傳感器測量靈敏度和固有頻率之間的制約關(guān)系,使傳感器兼具高固有頻率以及高測量靈敏度等特點(diǎn)。
聲明:
“基于非晶態(tài)碳膜的加速度傳感器芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)