本申請涉及電數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種閉環(huán)自適應(yīng)腦機接口設(shè)備及其控制方法，其中，設(shè)備包括：多個腦電電極包括至少一個意識狀態(tài)評估電極；自適應(yīng)組件在多個腦電電極基于本次刺激的當(dāng)前刺激參數(shù)進(jìn)行刺激后，利用至少一個意識狀態(tài)評估電極得到當(dāng)前腦電信號，并在基于當(dāng)前腦電信號評估得到的當(dāng)前意識狀態(tài)未滿足預(yù)設(shè)條件時，基于預(yù)設(shè)的強化學(xué)習(xí)算法分析下一次刺激的刺激參數(shù)，直至滿足預(yù)設(shè)條件，得到最佳刺激參數(shù)；刺激控制組件根據(jù)當(dāng)前刺激參數(shù)確定一個或多個腦電電極的目標(biāo)刺激動作，并按照目標(biāo)刺激動作控制定一個或多個腦電電極對目標(biāo)進(jìn)行刺激。由此，能夠在高維空間中自主尋找對應(yīng)的最佳刺激參數(shù)，可以大大減輕臨床負(fù)擔(dān)，通用性較強。