本發(fā)明公開了一種Ta/Ni微腔陣列薄膜,包括導電襯底,所述導電襯底上設(shè)有Ni層,所述Ni層上設(shè)有Ta層;所述Ni層上設(shè)有多個有序排列的碗狀孔,碗狀孔開口朝上;所述Ta層具有碗狀殼和設(shè)于碗狀殼頂部的頂蓋,碗狀殼和頂蓋合圍形成微腔,所述碗狀殼與碗狀孔相對應,所述頂蓋中部設(shè)有圓孔。還公開了一種Ta/Ni微腔陣列薄膜的制備方法,采用電解法在導電襯底上制得Ni層,采用磁控濺射法在Ni層上制得具有微腔結(jié)構(gòu)的Ta層。Ta層的微腔結(jié)構(gòu)有利于實現(xiàn)微溶液的存儲和限域反應,增加薄膜的比表面積,有利于提高
電化學分析時的靈敏度,制備方法工藝簡單,成本低,生產(chǎn)效率高。
聲明:
“Ta/Ni微腔陣列薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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