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電子摻雜實現(xiàn)半導體熱電子壽命延長的方法及體系與應用

910 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:01:28

本發(fā)明提供了一種通過簡單的光化學摻雜電子手段，實現(xiàn)常規(guī)半導體量子點(CdSe QD)中熱載流子壽命顯著延長的獨特方法。基于CdSe QD材料體系，改變量子點導帶中摻雜電子的程度，利用超快瞬態(tài)吸收光譜儀，系統(tǒng)研究了不同電子光摻雜程度對CdSe QD中熱電子馳豫時間的影響，通過分析對比獲取的動力學譜圖和相關動力學參數(shù)，發(fā)現(xiàn)QD中電子摻雜程度較低時(<25％)，其熱電子壽命達到10ps左右；若QD中實現(xiàn)電子重度摻雜，即摻雜程度在60％左右，此時熱電子馳豫壽命可被延長至300ps量級。為今后基于QD的熱載流子高效提取材料體系的調控、構建和設計提供了一定的理論指導。

聲明：

“電子摻雜實現(xiàn)半導體熱電子壽命延長的方法及體系與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)