本發(fā)明涉及一種P型透明導(dǎo)電氧化物CuAlO2薄膜的制備方法。該方法的步驟為:將化學(xué)純的Cu2O粉和分析純的Al(OH)3粉經(jīng)500~550℃預(yù)燒1~1.5h,在1050~1150℃保溫8~12h,生成純相的CuAlO2粉末,將CuAlO2粉末壓制成型后,經(jīng)1050~1150℃燒結(jié)4~10h,制成CuAlO2陶瓷靶材;采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材,利用磁控濺射方法,以Si(100)單晶或石英為襯底,襯底溫度300~600℃,以高純氬氣與氧氣組成的混合氣體為工作氣體,工作氣壓0.8~1.0Pa,氧分壓10~40%,濺射功率100~200W,薄膜沉積后,于900~1100℃經(jīng)氮?dú)鈿夥毡Wo(hù),在管式爐內(nèi)退火2~5h,制成P型CuAlO2薄膜。其厚度為100~500nm。本發(fā)明方法薄膜沉積面積大,生產(chǎn)成本低,且適于工業(yè)化生產(chǎn)。
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“P型透明導(dǎo)電氧化物CuAlO2薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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