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CoCrPt-氧化物磁記錄靶材、薄膜及其制備方法

750   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:01:30
本發(fā)明公開(kāi)了一種CoCrPt-氧化物磁記錄靶材、薄膜及其制備方法,該CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2,TiO2,CrO,Cr2O3,Ta2O3,W2O3,Al2O3,Y2O3等氧化物中的一種或幾種,其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3~20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co兩相Co基固溶體,其中以低溫相六方ε-Co固溶體為主,靶材的厚度在2~6mm之間,靶材的透磁率(PTF)值40%~60%之間。由該合金靶材制得的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層呈(002)晶面的擇優(yōu)取向生長(zhǎng),在X衍射分析中,用式(1)表示的(002)晶面的X射線衍射峰強(qiáng)度比:………………………式(1)為70%~90%。本發(fā)明的濺射靶,有害雜質(zhì)元素含量低,晶粒尺寸細(xì)小均勻,化學(xué)成份均勻且偏離名義成分較小。使用上述濺射靶材制備的磁記錄介質(zhì),該磁記錄介質(zhì)晶粒細(xì)小均勻、非磁性晶界明顯,磁學(xué)性能優(yōu)良。
聲明:
“CoCrPt-氧化物磁記錄靶材、薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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