本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體性單壁
碳納米管的制備方法,該方法包括以下步驟:(1)基底的處理;(2)氧化物載體的制備;(3)催化劑(前驅(qū)體)的負(fù)載;(4)由氧化物載體負(fù)載的催化劑溶液的制備;(5)半導(dǎo)體選擇性單壁碳納米管的化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明的方法,能夠選擇性生長(zhǎng)半導(dǎo)體性單壁碳納米管,拉曼光譜的檢測(cè)結(jié)果顯示半導(dǎo)體性單壁碳納米管的選擇性非常好。而且,所得碳納米管具有良好的取向選擇性,并具有良好的直徑選擇性,直徑主要分布于1.1-2.5納米之間。
聲明:
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