本發(fā)明涉及具有良好生物兼容性的鍺基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底和制備方法,以及用這種基底進(jìn)行溶液中羅丹明6G分子的檢測。本發(fā)明用化學(xué)刻蝕的方法,在單晶硅基片表面刻蝕出垂直定向站立排列的硅納米線陣列,并除去在刻蝕過程中作為副產(chǎn)物生成在硅納米線陣列頂端的絮狀銀枝杈;然后用熱蒸發(fā)的方法在硅納米線陣列上制備鍺納米管陣列;最后在鍺納米管表面修飾上大量的Ge-H鍵。所述的基底中不含有貴金屬銀;所述的鍺納米管表面修飾有大量的Ge-H鍵。本發(fā)明首次成功地實(shí)現(xiàn)了不使用任何貴金屬而僅用半導(dǎo)體鍺材料制備出了具有良好生物兼容性的鍺基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底。
聲明:
“鍺基半導(dǎo)體的拉曼散射增強(qiáng)基底及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)