本發(fā)明公開了一種錐體形微池陣列立體結(jié)構(gòu)電極制備方法,涉及微電極加工技術(shù),是基于體硅加工工藝,采用硅的各向異性濕法腐蝕技術(shù)在微小硅片表面向下腐蝕出微池陣列結(jié)構(gòu),并配合響應(yīng)的絕緣處理及濺射鉑/金等工藝,完成立體結(jié)構(gòu)微電極的制備。所制備微池包括5-150um多種尺寸,陣列結(jié)構(gòu)整齊、均勻分布在微電極表面,并有利于進一步進行
納米材料修飾。本發(fā)明方法采用標準MEMS加工技術(shù),工藝簡單、規(guī)范、實用性強,能夠有效擴大微電極表面面積,適合在
電化學(xué)傳感器的微電極表面區(qū)域進行立體結(jié)構(gòu)的設(shè)計和制備,并有效提高電極檢測性能。
聲明:
“錐體形微池陣列立體結(jié)構(gòu)電極制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)