本發(fā)明涉及一種基于
石墨烯量子點陣列的SERS基底的制備方法,包括在絕緣襯底表面生長石墨烯量子點陣列和在石墨烯量子點陣列上沉積柔性透明金屬導(dǎo)電薄膜兩大步驟。在石墨烯量子點陣列的制備中,以中間Ge量子點陣列作為金屬催化層,可以確保在絕緣襯底表面化學(xué)氣相沉積得到石墨烯量子點陣列的同時,還可以在生長完成后進(jìn)行氧化退火將其去除。在柔性透明金屬導(dǎo)電薄膜的制備中,利用石墨烯量子點陣列作為底層,在其表面均勻沉積柔性透明金屬導(dǎo)電薄膜,增加了比表面積,可以有效增強(qiáng)被檢測分子的信號強(qiáng)度。
聲明:
“基于石墨烯量子點陣列的SERS基底及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)