本發(fā)明公開了金屬納米點(diǎn)陣/單層
石墨烯SERS襯底及其制備方法和應(yīng)用,通過所述制備方法制備的金屬納米點(diǎn)陣/單層石墨烯SERS襯底包括硅基底、單層石墨烯和均勻金屬納米點(diǎn)陣,所述單層石墨烯位于硅基底上,所述均勻金屬納米點(diǎn)陣均勻分布于單層石墨烯上,獲得規(guī)則排布的金屬納米點(diǎn)陣/單層石墨烯SERS基底,將金屬納米結(jié)構(gòu)的電磁增強(qiáng)與石墨烯的化學(xué)增強(qiáng)耦合,可用于檢測疏水的芳香族化合物,該方法簡單、易操作、可以制備大面積SERS基底,且所制備的SERS襯底表面熱點(diǎn)分布均勻、面積大,可提高SERS信號重復(fù)性和穩(wěn)定性。
聲明:
“金屬納米點(diǎn)陣/單層石墨烯SERS襯底及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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