本發(fā)明屬于
納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于雙層銀納米結(jié)構(gòu)的硅基SERS基底的制備方法。本發(fā)明采用兩步無
電化學(xué)沉積技術(shù),第一步在硅片表面沉積制備出均勻的單層銀納米粒子,第二步在單層銀納米粒子上再沉積制備出網(wǎng)狀銀納米鏈,最終在硅片表面形成銀納米粒子和網(wǎng)狀銀納米鏈的雙層結(jié)構(gòu)。與單層銀納米結(jié)構(gòu)相比,雙層銀納米結(jié)構(gòu)形成更多“熱點(diǎn)”區(qū)域,硅基SERS基底檢測呈現(xiàn)出高靈敏度特征。本發(fā)明的制作成本低,具有無掩模、常溫常壓的制備特點(diǎn),為新型硅基SERS基底的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備提供了新的思路和有效的技術(shù)手段。
聲明:
“基于雙層銀納米結(jié)構(gòu)的硅基SERS基底的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)