本發(fā)明公開了一種用于鍵合工藝的硅襯底拋光片的制備方法,包括以下步驟:(1)采用磁場拉晶法進(jìn)行拉晶,磁場類型為水平磁場,磁場強(qiáng)度為1000?5000高斯,磁場形狀為馬鞍形,晶轉(zhuǎn)為5?15rpm,堝轉(zhuǎn)為0.1?3rpm;控制晶體生長時(shí)液面位置+/?0.5mm波動范圍;(2)進(jìn)行滾磨及線切割;(3)進(jìn)行倒角輪廓設(shè)計(jì)與加工,進(jìn)行四次倒角,分別使用800#導(dǎo)輪粗倒2次,1000?3000#導(dǎo)輪精倒2次,使用非對稱倒角,輪廓幅長X1大于600μm,X2小于300μm;(4)進(jìn)行研磨腐蝕,先進(jìn)行堿腐蝕,再進(jìn)行酸腐蝕,堿腐蝕去除量控制在5?15μm,酸腐蝕去除量控制在15?20μm;(5)進(jìn)行拋光,拋光轉(zhuǎn)速控制在30?50rpm,壓力控制在300?500kg,化學(xué)液濃度控制在1∶15?1∶30,pH值控制在9?13,蠟?zāi)ず穸瓤刂圃??3μm;(6)進(jìn)行清洗檢測;(7)進(jìn)行邊緣形狀評估。
聲明:
“用于鍵合工藝的硅襯底拋光片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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