本發(fā)明公開了一種紅色長(zhǎng)余輝晶體材料及其制備方法。該長(zhǎng)余輝材料為單晶體,結(jié)構(gòu)屬于三方晶系,ABO
3型,化學(xué)式為L(zhǎng)iNbO
3:Mg
2+,Pr
3+。式中,LiNbO
3為基體,Mg
2+和Pr
3+為摻雜組分。摻雜組分Mg
2+的含量為基體的1~6mol%,摻雜組分Pr
3+的含量為基體的1~3mol%。制備方法包括配料、預(yù)燒結(jié)和提拉法生長(zhǎng)。本發(fā)明制備的紅色
稀土長(zhǎng)余輝發(fā)光晶體,能夠由紫外光照射激發(fā),也可以通過(guò)X射線照射激發(fā),發(fā)射紅色光(中心波長(zhǎng)619納米),并具有長(zhǎng)時(shí)間余輝。本發(fā)明可于紫外光和X射線檢測(cè)、光存儲(chǔ)、安全標(biāo)識(shí)、高溫傳感和力傳感等應(yīng)用場(chǎng)合,具有低成本、高熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“紅色長(zhǎng)余輝單晶體材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)