本發(fā)明公開了一種氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料、氫氣傳感器芯體及其制備方法和應(yīng)用,氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料為非晶碳;氫氣傳感器芯體依次包括基片、由非晶碳構(gòu)成的介質(zhì)層和氫氣敏感層;制備方法包括以下步驟:(1)先清洗基片表面,再去除基片表面的自然氧化層;(2)在經(jīng)過步驟(1)處理后的基片表面制備非晶碳薄膜;(3)在非晶碳薄膜表面上制備氫氣敏感層。非晶碳成分簡單,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,特別適合制備高穩(wěn)定性、長壽命的電子器件。本發(fā)明的氫氣傳感器芯體所制備的MOS電容薄膜氫氣傳感器能夠檢測到的氫氣濃度下限達10ppm,而且響應(yīng)時間和脫氫時間小于25s。本發(fā)明的氫氣傳感器芯體的制備方法,工藝簡單,材料及加工成本低廉。
聲明:
“氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料、氫氣傳感器芯體及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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