本發(fā)明公開了一種基于多孔硅隔熱層的MEMS真空計(jì)及其制備方法,該MEMS真空計(jì)包括真空計(jì)主體和鍵合于其上方的硅帽,所述真空計(jì)主體包括由下到上依次設(shè)置的硅襯底、掩膜層、絕緣介質(zhì)層一和鉑金電極,所述鉑金電極分布于所述絕緣介質(zhì)層一的局部區(qū)域上;所述硅襯底上通過
電化學(xué)刻蝕方法形成多孔硅隔熱層,所述多孔硅隔熱層上方依次沉積有絕緣介質(zhì)層一和鉑金電極,所述硅帽位于所述多孔硅隔熱層的上方,并與所述真空計(jì)主體形成檢測(cè)腔體,所述硅帽具有空氣微流道。本發(fā)明所公開的MEMS真空計(jì)及制備方法可以解決薄膜型MEMS真空計(jì)在強(qiáng)烈的氣體對(duì)流中易造成薄膜損壞的問題,能夠增強(qiáng)MEMS真空計(jì)的魯棒性,提高在實(shí)際工作環(huán)境中的穩(wěn)定性。
聲明:
“基于多孔硅隔熱層的MEMS真空計(jì)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)