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斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核殼結(jié)構(gòu)的方法

888   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:04:30
本發(fā)明公開了一種斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核殼結(jié)構(gòu)的方法,該方法是先用真空熱蒸鍍的方法將Ag粉蒸鍍到不同傾斜角度的基片上,得到鍍有Ag薄膜的基片;然后,配制合適濃度的硝酸鋅溶液,在水浴環(huán)境中磁力攪拌,加入三乙醇胺使溶液呈弱堿性,然后將上面得到的有Ag的基片放入此混合溶液中,反應(yīng),得到Ag/ZnO核殼結(jié)構(gòu)物。本發(fā)明采用斜角熱蒸發(fā)法制備Ag薄膜,濕化學(xué)方法制備ZnO殼層,得到ZnO包覆Ag的納米級(jí)材料;包覆均勻、工藝簡(jiǎn)單可控、成本低;制備的Ag/ZnO核殼結(jié)構(gòu)材料在生物探針、環(huán)境檢測(cè)、醫(yī)藥學(xué)等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核殼結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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