本發(fā)明公開了一種貴金屬基材的3維納米蝕刻方法,是用于增加金屬材料比表面積的方便的
電化學(xué)方法,所述方法通過反復(fù)電沉積和去合金處理以一步法擴(kuò)大了金屬材料的比表面積。該方法可產(chǎn)生具有受控拓?fù)浼{米結(jié)構(gòu)的多種貴金屬(例如,Ag、Au或Cu)的納米多孔粉末和納米線。例如,如此獲得的3維納米蝕刻金線作為SERS基材能夠以均勻信號檢測10
?12M的羅丹明b,甚至在羅丹明b濃度降至10
?14M時(shí)也可以獲得有效信號。
聲明:
“貴金屬基材的3維納米蝕刻方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)