本發(fā)明公開了一種基于表面SiO
2改性的高選擇性氫氣傳感器。它以二甲基二乙氧基
硅烷為硅源,利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在SnO
2氣體傳感器表面沉積一層致密SiO
2層而得到。本發(fā)明提供的高選擇性氫氣傳感器選擇性大幅提高,可有效降低乙醇、丙酮等大分子氣體對(duì)氫氣的干擾。氫氣檢測(cè)靈敏度高,對(duì)氫氣的響應(yīng)值最大為140左右,工作溫度最低可達(dá)到200℃。
聲明:
“基于表面二氧化硅改性的高選擇性二氧化錫氣體傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)