本發(fā)明涉及微電子器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種碳化硅功率器件及其加工制造方法;本發(fā)明首先采用高溫氣相沉積法制備碳化硅晶錠,然后對碳化硅晶錠進行整形并獲得碳化硅晶棒,然后對碳化硅晶錠進行切片并獲得碳化硅晶片,然后對碳化硅晶片依次進行研磨、拋光、檢測和清洗,從而獲得碳化硅襯底,然后通過化學(xué)氣相沉積法在碳化硅襯底的上表面上制備碳化硅外延層,從而獲得碳化硅晶圓,然后通過離子注入機向碳化硅晶圓中注入鋁離子用以形成P型摻雜區(qū)和氮離子用以形成漏極和源極的N型導(dǎo)電區(qū),然后在JFET區(qū)制備結(jié)勢壘肖特基二極管等;本發(fā)明能夠有效地解決現(xiàn)有技術(shù)存在高溫、高壓耐性差、開關(guān)速度低以及生產(chǎn)成本高等問題。
聲明:
“碳化硅功率器件及其加工制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)