本發(fā)明公開了一種基于蛇形多孔硅隔熱層的MEMS真空計(jì)及制備方法,該真空計(jì)包括真空計(jì)主體和鍵合于其上方的硅帽,真空計(jì)主體包括由下到上依次設(shè)置的硅襯底、掩膜層一、絕緣介質(zhì)層一和鉑金電極;硅襯底上通過
電化學(xué)刻蝕方法形成蛇形多孔硅隔熱層,蛇形多孔硅隔熱層上方依次沉積有絕緣介質(zhì)層一和鉑金電極,相鄰的蛇形多孔硅隔熱層之間的硅襯底上依次沉積有掩膜層二和絕緣介質(zhì)層一;硅帽位于蛇形多孔硅隔熱層的上方,并與真空計(jì)主體形成檢測腔體,硅帽具有空氣微流道。本發(fā)明所公開的真空計(jì)可以解決薄膜型真空計(jì)在強(qiáng)烈的氣體對流中易造成薄膜損壞的問題,能夠增強(qiáng)真空計(jì)的魯棒性,提高在實(shí)際工作環(huán)境中的穩(wěn)定性。
聲明:
“基于蛇形多孔硅隔熱層的MEMS真空計(jì)及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)