本發(fā)明提供了一種CMOS影像傳感器及其形成方法,通過淺槽隔離與其相鄰的光電二極管之間形成有高K介質(zhì)層,從而有效避免淺槽隔離結(jié)構(gòu)中的(缺陷)電子移動傳遞到光電二極管中,進(jìn)而防止光電二極管檢測到非光照產(chǎn)生的電流(即暗電流)。特別的,所述高K介質(zhì)層通過化學(xué)氣相沉積工藝、爐管工藝或者原子層淀積工藝即可形成,其工藝實現(xiàn)方法簡單,膜層質(zhì)量可靠,從而能夠很好地避免淺槽隔離結(jié)構(gòu)中的(缺陷)電子移動傳遞到光電二極管中,保證CMOS影像傳感器的質(zhì)量。
聲明:
“CMOS影像傳感器及其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)