本發(fā)明提供一種功率器件的生產(chǎn)工藝方法,包括:檢測來料;合格來料通過表面組裝和研磨技術(shù)制作基層襯底結(jié)構(gòu);在基層襯底結(jié)構(gòu)上依次鋪并形成氧化層;在所述氧化層上生成氮化硅層,以形成目標(biāo)襯底結(jié)構(gòu),并鋪設(shè)光刻層;通過物理CMP和電漿干式蝕刻技術(shù)在光刻層依次形成下沉區(qū)、場氧化層和柵氧化層;在所述場氧化層上依次形成所述防靜電二極管單元的N型基區(qū)和所述功率單元的硅柵結(jié)構(gòu);在形成N型基區(qū)后,依次形成體區(qū)、漂移區(qū)等;在完成上述區(qū)域的劃分后,通過化學(xué)槽清洗的方法除去光刻層;最后通過濺鍍的方式完善功率器件的制做。本發(fā)明降低了功率器件的制造加工成本;同時通過該方法制造功率器件,廢品回收率達(dá)到70%以上,高于同行業(yè)水平。
聲明:
“功率器件的生產(chǎn)工藝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)