本發(fā)明公開了一種OSP基板的蝕刻清洗方法,包括以下步驟:第一步驟:將H2SO4溶劑、H2O2溶劑、添加劑AGS2116,添加劑AGS2115,純水進行混合,將按比例混合好的化學藥劑添加于蝕刻清洗設備腔內;第二步驟:OSP基板通過蝕刻清洗設備軌道依次進入蝕刻噴淋室和清洗噴淋室;第三步驟:蝕刻噴淋室完成對OSP基板的蝕刻,清洗噴淋室完成對OSP基板的清洗;第四步驟:檢查蝕刻效果,確認OSP層與氧化層是否從焊盤被蝕刻掉。本發(fā)明還提供了一種OSP基板的蝕刻清洗設備,本發(fā)明的化學藥劑蝕刻效果好,蝕刻更均勻。通過蝕刻裝置將H2SO4、H2O2等化學藥劑分開,用時根據(jù)現(xiàn)場生產(chǎn)情況和OSP基板的實際情況,隨時控制配比,進而控制蝕刻值的大小,操作方便,效率高。
聲明:
“OSP基板的蝕刻清洗設備及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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