本發(fā)明涉及一種制備納米間隙電極的反饋控制系統(tǒng),其包括:直流沉積單元、實(shí)時(shí)監(jiān)測單元、信號(hào)采集單元及控制器,直流沉積單元包括一直流源與一
電化學(xué)液池,電化學(xué)液池中設(shè)置有對(duì)電極、參比電極及一對(duì)待沉積電極對(duì),其中直流源為一電化學(xué)工作站,其第一輸出端連接至對(duì)電極,第二輸出端連接到參比電極,第三輸出端經(jīng)由地線連接到待沉積電極對(duì),與第一輸出端構(gòu)成直流沉積回路;實(shí)時(shí)監(jiān)測單元包括二采樣電阻及二交流源,二采樣電阻分別與待沉積電極對(duì)串聯(lián),另一端分別與二交流源串聯(lián)形成交流回路,二交流源的另一端與電化學(xué)工作站的第三輸出端共地;信號(hào)采集單元連接在采樣電阻與待沉積電極對(duì)之間,信號(hào)采集單元的輸出與控制器連接,控制器的輸出與電化學(xué)工作站的控制端連接。
聲明:
“制備納米間隙電極的反饋控制系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)