本發(fā)明涉及一種多結(jié)太陽電池漸變緩沖層的腐蝕方法。本發(fā)明屬于
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。一種多結(jié)太陽電池漸變緩沖層的腐蝕方法,其特點(diǎn)是:多結(jié)太陽電池漸變緩沖層的腐蝕過程為:在砷化鎵襯底上生長0.8-1.2μm的GaAs緩沖層,180-220nm的GaInP阻擋層,1400-1800nm的AlGaInAs漸變緩沖層;將外延片用光刻膠進(jìn)行保護(hù),同時露出需要腐蝕測厚的部分;用化學(xué)腐蝕液對裸露部分進(jìn)行腐蝕,化學(xué)腐蝕液采用檸檬酸、H2O2和磷酸溶液,腐蝕液溫度為20~25℃;腐蝕完畢后,用丙酮溶液除去光刻膠,用無水乙醇及去離子水將外延片清洗干凈后,即可測量AlGaInAs漸變緩沖層厚度。本發(fā)明具有方法簡單,操作方便,安全穩(wěn)定,重復(fù)性好,不腐蝕GaInP阻擋層,可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確測量漸變緩沖層的厚度等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“多結(jié)太陽電池漸變緩沖層的腐蝕方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)