鋨膜電阻線原子氧傳感器
芯片的制造方法,它涉及鋨膜電阻線構(gòu)成的電阻型原子氧傳感器芯片的制造方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有工藝制備鋨膜存在容易開裂、原子氧測量的準(zhǔn)確性差的問題。本發(fā)明方法如下:一、用物理氣相沉積法在基片上依次沉積鉻膜和金膜;二、然后在金膜表面上電鍍鋨膜;三、在鋨膜表面形成線形的光刻膠圖案;四、然后用
電化學(xué)陽極溶解法刻蝕鋨膜;五、再用濕化學(xué)法刻蝕金膜,經(jīng)去膠后即在基片表面形成鋨膜電阻線。本發(fā)明制得芯片的鋨膜電阻線表面光滑平整,無微裂紋和針孔,線寬小,厚度大,因此該原子氧傳感器芯片的初始電阻較高,測量精度良好,原子氧反應(yīng)率線性度高,可連續(xù)在線長期穩(wěn)定工作。本發(fā)明的方法工藝簡單、操作方便。
聲明:
“鋨膜電阻線原子氧傳感器芯片的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)