本發(fā)明揭示了一種加工半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的裝置,包括第一機(jī)械手、晶圓緩存臺、第二機(jī)械手、膜厚測量裝置、
電化學(xué)拋光腔、清洗腔、預(yù)加熱腔、第三機(jī)械手、干法氣相刻蝕腔及后冷卻腔。第一機(jī)械手在晶圓緩存臺、預(yù)加熱腔及后冷卻腔之間傳送晶圓;晶圓緩存臺放置晶圓;第二機(jī)械手在晶圓緩存臺、膜厚測量裝置、電化學(xué)拋光腔及清洗腔之間傳送晶圓;膜厚測量裝置尋找晶圓上的缺口并測量晶圓上金屬層的厚度;電化學(xué)拋光腔電化學(xué)拋光晶圓;清洗腔清洗和干燥晶圓;預(yù)加熱腔加熱晶圓;第三機(jī)械手在預(yù)加熱腔、干法氣相刻蝕腔及后冷卻腔之間傳送晶圓;干法氣相刻蝕腔干法氣相刻蝕晶圓;后冷卻腔冷卻晶圓。本發(fā)明的裝置結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,工藝效率高,降低了加工半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的成本。
聲明:
“加工半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)