10cm。本發(fā)明采用激光加熱基座法生長氧化镥單晶光纖,其熔點(diǎn)高達(dá)2510℃。本發(fā)明摻雜Tm3+、Yb3+、Ho3+氧化镥單晶光纖結(jié)合了單晶光纖高熱導(dǎo)率、高硬度、高強(qiáng)度、高韌性、及穩(wěn)定的化學(xué)性能等優(yōu)良的物化性能,和Tm3+、Yb3+、Ho3+熒光摻雜離子靈敏度高和頻帶寬等優(yōu)點(diǎn),可用作制備">
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