本發(fā)明主要涉及一種用于半導體晶圓的激光研磨工藝，屬于晶圓研磨技術領域，包括以下步驟：步驟一，提供待研磨的半導體晶圓；步驟二，利用激光測量計測量晶圓幾何參數(shù)；步驟三，與晶圓目標幾何參數(shù)對比確定激光研磨加工余量；步驟四，設定激光研磨加工工藝參數(shù)并完成首次激光研磨加工；步驟五，再次測量晶圓幾何參數(shù)。步驟六，與晶圓目標幾何參數(shù)對比確定第二次激光研磨加工余量；步驟七，設定激光研磨加工工藝參數(shù)并完成第二次激光研磨加工；重復上述步驟，直至晶圓幾何參數(shù)滿足晶圓目標幾何參數(shù)要求。激光研磨代替?zhèn)鹘y(tǒng)化學機械研磨，減少了環(huán)境污染，拓寬了一臺設備可研磨加工的晶圓尺寸；緩解了化學機械研磨精度控制方法淺顯，難以保證較高研磨精度的技術問題，優(yōu)化了晶圓的化學機械研磨工藝，使得晶圓研磨精度的控制工藝更加準確、可靠。
聲明：
“用于半導體晶圓的激光研磨工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月28日 ~ 30日 
