一種氮化物
半導(dǎo)體材料除氫激活提升p型導(dǎo)電性的方法,涉及III族氮化物半導(dǎo)體材料。設(shè)計(jì)三電極
電化學(xué)處理裝置;將p型摻雜的半導(dǎo)體晶片密封至容器底部,作為工作電極;設(shè)置輔助電極和參比電極,與工作電極構(gòu)成電化學(xué)三電極系統(tǒng);選擇除氫電解液,加入容器中,并淹沒三電極;于工作電極和輔助電極之間施加直流偏壓,進(jìn)行除H并激活p型雜質(zhì);激活處理完畢,取出p型半導(dǎo)體晶片,進(jìn)行去離子水超聲清洗;利用電學(xué)裝置測(cè)試晶片的電學(xué)性質(zhì)。操作簡(jiǎn)便、無(wú)需高溫退火,可制備出具有良好導(dǎo)電特性的p型GaN和AlGaN材料,并且可對(duì)完整結(jié)構(gòu)器件晶圓片做后期處理,在可見光、紫外、深紫外的LED、LD、探測(cè)器等光電子領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。
聲明:
“氮化物半導(dǎo)體材料除氫激活提升p型導(dǎo)電性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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